コンテンツへスキップ

絶縁破壊予測とシミュレーション

XFは、絶縁破壊を起こす危険性のある場所を予測するのに役立ちます。

誘電破壊

静電気放電(ESD)とは、帯電した2つの物体を隔てる誘電体の破壊(誘電破壊)によって生じる、2つの物体間の急激な電流の流れのことです。XFdtd 3D電磁場シミュレーション・ソフトウェアは、材料の絶縁破壊強度がわかっている場合に、絶縁破壊が発生する危険性のある場所を特定することができます。

ESD_絶縁耐力_リモート

絶縁耐力

絶縁耐力は、材料が絶縁特性を失うことなく耐えることができる最大電界として定義され、XFの材料エディタを使用して電気材料に対して定義することができます。材料にはデフォルトで無限大の絶縁耐力が割り当てられており、FDTDシミュレーション中に絶縁破壊がモニターされることはありません。V/m単位で有限の誘電強度を入力すると、XFはタイムステッピング中に材料が遭遇する過渡磁界値をモニターし、絶縁破壊の可能性をチェックすることができます。

絶縁破壊センサー

FDTDドメインの絶縁破壊をモニターするために、近接場絶縁破壊センサーを作成することができます。 このセンサーの境界は、シミュレーション・ドメイン全体、ジオメトリのバウンディング・ボックス、またはユーザーが希望するサブボリュームを包含するように定義できます。 フリースペースの誘電強度は、シミュレーション領域内のすべてのフリースペースのセルエッジの誘電強度を定義し、海面での空気の誘電強度に対応するデフォルト値3.0MV/mが割り当てられています。

ESD_センサー_リモート
ESD_BreakdownRatio_Remote

絶縁破壊比

シミュレーション中に絶縁耐力を超えたFDTDセルエッジは、XFの結果ブラウザから絶縁破壊センサーと絶縁破壊比の結果タイプを選択して調べることができます。 The dielectric breakdown ratio of a cell edge is defined as the maximum electric field encountered during the simulation divided by the cell edge’s dielectric strength.セルエッジがその絶縁耐力を超えた瞬間を決定し、便利な「zoom to maximum」ボタンを使って絶縁破壊比が最も高いセルを簡単に見つけることができます。

RAM_BreakdownRatio

シミュレーション中に絶縁耐力を超えたセルエッジは、絶縁破壊センサーと絶縁破壊比の結果タイプで調べることができます。

時間を節約し、コストを削減する。

最も複雑な電磁気の課題に対するカスタマイズされたソリューションについては、今すぐレムコムにお問い合わせください。

見積依頼
見積依頼